RAL025P01TCR, MOSFETs 1.5V Drive Pch MOSFET
![RAL025P01TCR, MOSFETs 1.5V Drive Pch MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/567/DOC006567973.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
553 шт., срок 5-7 недель
120 руб.
от 10 шт. —
95 руб.
от 100 шт. —
55 руб.
1 шт.
на сумму 120 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 1.5V Drive Pch МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Qg - заряд затвора | 16 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 44 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 40 ns |
Время спада | 60 ns |
Другие названия товара № | RAL025P01 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.5 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | RAL025P01 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 160 ns |
Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-363T-6 |
Вес, г | 0.0075 |
Техническая документация
Datasheet RAL025P01TCR
pdf, 1482 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.