CSD25501F3T, MOSFET -20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150

CSD25501F3T, MOSFET -20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
230 руб.
от 10 шт.180 руб.
от 100 шт.135 руб.
от 250 шт.129.99 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 230 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006355130
Артикул: CSD25501F3T
Бренд: Texas Instruments

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current -3.6 V
Maximum Drain Source Voltage -20 V
Mounting Type Surface Mount
Package Type PICOSTAR
Вес, кг 7.72

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов