CSD23280F3T, MOSFET -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 116 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150

CSD23280F3T, MOSFET -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 116 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
260 руб.
от 10 шт.220 руб.
от 100 шт.99 руб.
от 250 шт.95.19 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006371673
Артикул: CSD23280F3T
Бренд: Texas Instruments

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 2.9 V
Maximum Drain Source Voltage -12 V
Mounting Type Surface Mount
Package Type PICOSTAR
Вес, г 0.0003

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов