CSD23280F3T, MOSFET -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 116 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
от 100 шт. —
99 руб.
от 250 шт. —
95.19 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 2.9 V |
Maximum Drain Source Voltage | -12 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | PICOSTAR |
Вес, г | 0.0003 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов