DDTC114ELP-7, Digital Transistors 250mW Single (R1/R2)

DDTC114ELP-7, Digital Transistors 250mW Single (R1/R2)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт.120 руб.
от 100 шт.67 руб.
от 1000 шт.43.51 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006375859
Артикул: DDTC114ELP-7
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 250mW Single (R1/R2)

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.47 mm
Длина 1 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 10
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 10
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 50 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 50 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DDTC114
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 1
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок DFN-1006-3
Ширина 0.6 mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet DDTC114ELP-7
pdf, 360 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов