BPW96B, Phototransistors T-1.75 450 to 1080nm +/-20 deg
![Фото 1/3 BPW96B, Phototransistors T-1.75 450 to 1080nm +/-20 deg](https://static.chipdip.ru/lib/617/DOC044617317.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/654/DOC003654549.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/588/DOC035588715.jpg)
230 руб.
от 10 шт. —
160 руб.
от 100 шт. —
104 руб.
от 500 шт. —
91.21 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Sensors\Optical Sensors\Phototransistors
Описание Фототранзистор, прозрачная, 20°, p макс 830нм, 70В, THT
Технические параметры
Angle of Half Sensitivity | ±20 ° |
Collector Current | 50mA |
Collector Emitter Voltage | 70(Min)V |
Diameter | 5mm |
Emitter Collector Voltage | 5V |
Maximum Dark Current | 200nA |
Maximum Light Current | 7500µA |
Maximum Wavelength Detected | 1080nm |
Minimum Wavelength Detected | 450nm |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 2 |
Package Type | 5mm(T-1 3/4) |
Polarity | NPN |
Saturation Voltage | 0.3V |
Spectral Range of Sensitivity | 450 → 1080 nm |
Spectrums Detected | Infrared |
Typical Fall Time | 2.3µs |
Typical Rise Time | 2µs |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet BPW96B
pdf, 104 КБ