QRD1113, Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output REFL OBJECT SENSOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 руб.
от 10 шт. —
320 руб.
от 100 шт. —
272 руб.
от 500 шт. —
215.94 руб.
1 шт.
на сумму 560 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Optoelectronics\Optical Switches\Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output
The QRD1113/14 reflective sensor consists of an infrared emitting diode and an NPN silicon photo darlington mounted side by side in a black plastic housing.
Технические параметры
| Collector Current | 0.3(Minimum)mA |
| Collector Emitter Voltage | 30V |
| Emitter Collector Voltage | 5V |
| Maximum Dark Current | 100nA |
| Maximum Wavelength Detected | 940nm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Pins | 4 |
| Output Signal Type | Phototransistor |
| Package Type | Custom 4L |
| Saturation Voltage | 0.4V |
| Spectral Range of Sensitivity | 940 nm |
| Spectrums Detected | Infrared |
| Typical Fall Time | 50µs |
| Typical Rise Time | 10µs |
| Width | 6.1mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 743 КБ
