BPY 62-3/4, Phototransistors PHOTODIODE
![Фото 1/2 BPY 62-3/4, Phototransistors PHOTODIODE](https://static.chipdip.ru/lib/176/DOC023176590.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/176/DOC023176593.jpg)
919 шт., срок 4-7 недель
880 руб.
от 10 шт. —
590 руб.
от 25 шт. —
555 руб.
от 100 шт. —
452.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 880 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Sensors\Optical Sensors\Phototransistors
This family of NPN phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are in standard TO-18 through-hole packages.
Технические параметры
Angle of Half Sensitivity | 16 ° |
Collector Current | 100mA |
Maximum Dark Current | 50nA |
Maximum Light Current | 5800µA |
Maximum Wavelength Detected | 1100nm |
Minimum Wavelength Detected | 400nm |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Channels | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | TO-18 |
Polarity | NPN |
Spectral Range of Sensitivity | 400 → 1100 nm |
Spectrums Detected | Infrared, Visible Light |
Typical Fall Time | 12µs |
Typical Rise Time | 12µs |
Width | 5.6mm |
Техническая документация
Документация
pdf, 264 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.