SFH 3310, Phototransistors PHOTOTRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13559 шт., срок 4-7 недель
330 руб.
от 10 шт. —
200 руб.
от 100 шт. —
129 руб.
от 500 шт. —
115.38 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 330 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Sensors\Optical Sensors\Phototransistors
A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics.
Технические параметры
| Angle of Half Sensitivity | 150 ° |
| Collector Current | 20mA |
| Maximum Dark Current | 3nA |
| Maximum Light Current | 8µA |
| Maximum Wavelength Detected | 940nm |
| Minimum Wavelength Detected | 350nm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Pins | 2 |
| Package Type | 3mm(T-1) |
| Polarity | NPN |
| Spectral Range of Sensitivity | 350 → 940 nm |
| Spectrums Detected | Infrared, Ultraviolet, Visible Light |
| Width | 4mm |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | Radial Leaded |
| Типичное Значение Длины Волны | 570нм |
| Угол Обзора | 150° |
| Half Intensity Angle Degrees | 150 ? |
| Lens Dimensions | 3.1 mm |
| Lens Shape Type | Flat |
| Maximum Collector Current | 20 mA |
| Maximum Emitter Collector Voltage | 0.5 V |
| Package | 2T-1 |
| Peak Wavelength | 570 nm |
| Phototransistor Type | Phototransistor |
| Rad Hard | No |
| Type | Chip |
| Viewing Orientation | Top View |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
