IXGH40N120B2D1, IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 740 руб.

от 10 шт. — 3 970 руб.

от 30 шт. — 3 520 руб.

от 60 шт. — 3 080.01 руб.

1 шт. на сумму 4 740 руб.

Плати частями
от 1 185 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8006401655

Артикул: IXGH40N120B2D1

Unclassified

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	75 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single