IXGN400N60A3, IGBTs 400 Amps 600V

Фото 1/2 IXGN400N60A3, IGBTs 400 Amps 600V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16 450 руб.
от 10 шт.13 070 руб.
от 50 шт.11 800 руб.
от 100 шт.11 386.23 руб.
1 шт. на сумму 16 450 руб.
Плати частями
от 4 114 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006406254
Артикул: IXGN400N60A3
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Описание Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 190А; SOT227B Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 830 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 400 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 10
Серия IXGN400N60
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок SOT-227B
Вес, г 30

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов