IXGN400N60A3, IGBTs 400 Amps 600V
![Фото 1/2 IXGN400N60A3, IGBTs 400 Amps 600V](https://static.chipdip.ru/lib/663/DOC006663588.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/744/DOC043744355.jpg)
16 450 руб.
от 10 шт. —
13 070 руб.
от 50 шт. —
11 800 руб.
от 100 шт. —
11 386.23 руб.
1 шт.
на сумму 16 450 руб.
Плати частями
от 4 114 руб. × 4 платежа
от 4 114 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Описание Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 190А; SOT227B Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 830 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.25 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 400 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 10 |
Серия | IXGN400N60 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | SOT-227B |
Вес, г | 30 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов