IXYP20N120C3, IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 700 руб.
1 шт.
на сумму 1 700 руб.
Плати частями
от 425 руб. × 4 платежа
от 425 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 278 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 50kHz |
Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов