IXXK110N65B4H1, IGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 120 руб.

от 25 шт. — 3 350 руб.

от 500 шт. — 3 040 руб.

1 шт. на сумму 4 120 руб.

Плати частями
от 1 030 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8006415657

Артикул: IXXK110N65B4H1

Unclassified

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

Channel Type	N
Energy Rating	3mJ
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	570 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	880 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Transistors	1
Package Type	TO-264
Pin Count	3
Switching Speed	10 → 30kHz
Transistor Configuration	Single
Вес, г	10.6