IXGN200N170, IGBTs SOT227 1700V 160A IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

14 550 руб.

от 10 шт. — 11 980 руб.

от 20 шт. — 11 070 руб.

от 50 шт. — 10 965.02 руб.

1 шт. на сумму 14 550 руб.

Плати частями
от 3 639 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8006417315

Артикул: IXGN200N170

Unclassified

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT NPT-HIVOLTAGE (MINI

Pd - рассеивание мощности	1250 W
Вид монтажа	Screw Mount
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1700 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	280 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	1050 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	10
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-227B-4
Вес, г	6

Мы рекомендуем