RQ5H020TNTL
![Фото 1/2 RQ5H020TNTL](https://static.chipdip.ru/lib/573/DOC006573128.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC022166285.jpg)
6372 шт., срок 6-8 недель
190 руб.
от 10 шт. —
160 руб.
от 100 шт. —
107 руб.
от 500 шт. —
87.65 руб.
1 шт.
на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор 45V N-CHANNEL 2A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Qg - заряд затвора | 2.9 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 45 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 16 ns |
Время спада | 11 ns |
Другие названия товара № | RQ5H020TN |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 21 ns |
Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | SOT-346-3 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 45 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±12 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TSMT-3 |
Pin Count | 3 |
Series | RQ5H020TN |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 2.9 nC @ 4.5 V |
Width | 1.8mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.