STGP30M65DF2, IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1217 шт., срок 5-7 недель
560 руб.
от 25 шт. —
410 руб.
от 100 шт. —
338 руб.
от 500 шт. —
287.50 руб.
1 шт.
на сумму 560 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
M Series 650 V 30 A Flange Mount Trench Gate Field Stop IGBT - TO-220
Технические параметры
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Gate Charge | 80nC |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power - Max | 258W |
Reverse Recovery Time (trr) | 140ns |
Series | - |
Standard Package | 50 |
Supplier Device Package | TO-220 |
Switching Energy | 300ВµJ(on), 960ВµJ(off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 31.6ns/115ns |
Test Condition | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.