STGP30M65DF2, IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

1217 шт., срок 5-7 недель
560 руб.
от 25 шт.410 руб.
от 100 шт.338 руб.
от 500 шт.287.50 руб.
1 шт. на сумму 560 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006461868
Артикул: STGP30M65DF2
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified
M Series 650 V 30 A Flange Mount Trench Gate Field Stop IGBT - TO-220

Технические параметры

Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Gate Charge 80nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Manufacturer STMicroelectronics
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power - Max 258W
Reverse Recovery Time (trr) 140ns
Series -
Standard Package 50
Supplier Device Package TO-220
Switching Energy 300ВµJ(on), 960ВµJ(off)
Td (on/off) @ 25В°C 31.6ns/115ns
Test Condition 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.