R6520KNZ4C13

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

334 шт., срок 6-8 недель

1 520 руб.

от 30 шт. — 1 040 руб.

от 120 шт. — 901 руб.

1 шт. на сумму 1 520 руб.

Плати частями
от 380 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8006466771

Бренд: Rohm

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N-канал 650V 20A (Tc) 231W (Tc) сквозное отверстие TO-247

Base Product Number	R6520 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1550pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-3
Power Dissipation (Max)	231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	205mOhm @ 9.5A, 10V
REACH Status	REACH Affected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-247
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 630ВµA
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.185Ом
Power Dissipation	231Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	650В
Непрерывный Ток Стока	20А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	5В
Рассеиваемая Мощность	231Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.185Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный

pdf, 2209 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем