C3M0120090J-TR, SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2936 шт., срок 5-7 недель
2 390 руб.
от 10 шт. —
2 010 руб.
от 50 шт. —
1 870 руб.
от 100 шт. —
1 658.13 руб.
1 шт.
на сумму 2 390 руб.
Плати частями
от 599 руб. × 4 платежа
от 599 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Технические параметры
Automotive | Unknown |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single Hex Source |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Material | SiC |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 22 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 155@15V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 900 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 250 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | 18 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.5 |
Maximum IDSS (uA) | 100 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 83000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 7 |
Pin Count | 8 |
PPAP | Unknown |
Process Technology | C3M |
Product Category | Power MOSFET |
Supplier Package | D2PAK |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 5 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 17.3@15V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 350@600V |
Typical Rise Time (ns) | 9 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 15 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 930 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.