IGD10N65T6ARMA1, IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

IGD10N65T6ARMA1, IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
610 руб.
от 10 шт.460 руб.
от 100 шт.361 руб.
от 250 шт.323.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 610 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006475657
Артикул: IGD10N65T6ARMA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.5В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 23А
Power Dissipation 75Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP IGBT6
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IGD10N65T6ARMA1
pdf, 3336 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов