MMBT3906, 40V 350mW 200mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
160700 шт., срок 6-8 недель
2 руб.
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 3000 шт. —
1.20 руб.
от 6000 шт. —
1.05 руб.
150 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
40V 200mW 100@10mA,1V 200mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 200mA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1744 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.