RD3G01BATTL1, MOSFETs Pch -40V -15A Power MOSFET
![RD3G01BATTL1, MOSFETs Pch -40V -15A Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172284.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33395 шт., срок 5-7 недель
330 руб.
от 10 шт. —
240 руб.
от 100 шт. —
181 руб.
от 500 шт. —
145.25 руб.
1 шт.
на сумму 330 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.031Ом |
Power Dissipation | 25Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
Непрерывный Ток Стока | 15А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 25Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.031Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RD3G01BATTL1
pdf, 2696 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.