IKP15N65H5XKSA1, IGBTs IGBT PRODUCTS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
740 руб.
от 10 шт. —
570 руб.
1 шт.
на сумму 740 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The Infineon high speed switching series fifth generation, It is high speed H5 technology offering. It is plug and play replacement of previous generation IGBTs and qualified according to JEDEC for target applications.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 105 W |
| Package Type | PG-TO220-3 |
Техническая документация
Datasheet IKP15N65H5
pdf, 2351 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
