IKD06N60RC2ATMA1, IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
от 10 шт. —
190 руб.
от 100 шт. —
157 руб.
от 500 шт. —
128.55 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
The Infineon RC drives 2 600 V, 6 A IGBT discrete in PG-TO252-3 package. RC-D2 with the monolithically integrated diode offers improvements of the performance, controllability and reliability compared to the RC-DF.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 11.7А |
| Power Dissipation | 51.7Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP RC |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Package Type | PG-TO252-3 |
Техническая документация
Datasheet IKD06N60RC2ATMA1
pdf, 1464 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
