IKD04N60RC2ATMA1, IGBTs N
![Фото 1/2 IKD04N60RC2ATMA1, IGBTs N](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172284.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/826/DOC044826042.jpg)
200 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
107 руб.
от 500 шт. —
86.43 руб.
1 шт.
на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
IKD04N60RC2, SP004542900
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 8А |
Power Dissipation | 36.6Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP RC |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Package Type | PG-TO252-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKD04N60RC2ATMA1
pdf, 1441 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов