QH8JC5TCR, MOSFETs -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10642 шт., срок 5-7 недель
350 руб.
от 10 шт. —
260 руб.
от 100 шт. —
198 руб.
от 500 шт. —
158.32 руб.
1 шт.
на сумму 350 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance N Channel | 0.071Ом |
Drain Source On State Resistance P Channel | 0.071Ом |
Power Dissipation N Channel | 1.5Вт |
Power Dissipation P Channel | 1.5Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 3.5А |
Непрерывный Ток Стока, N Канал | 3.5А |
Непрерывный Ток Стока, P Канал | 3.5А |
Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet QH8JC5TCR
pdf, 2847 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.