RF4G060ATTCR, MOSFETs Pch -40V -6A Power, DFN2020, MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14873 шт., срок 5-7 недель
260 руб.
от 10 шт. —
190 руб.
от 100 шт. —
138 руб.
от 500 шт. —
105.55 руб.
1 шт.
на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.032Ом |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 6А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.032Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN2020 |
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@6A, 10V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 880pF@20V |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17.2nC@10V |
| Type | 1PCSPChannel |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RF4G060ATTCR
pdf, 2670 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
