Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics › STGF10H60DF

STGF10H60DF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1033 шт., срок 6-8 недель

460 руб.

от 50 шт. — 320 руб.

от 100 шт. — 260 руб.

от 500 шт. — 205.37 руб.

1 шт. на сумму 460 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8006542121

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности:	30 W
Вид монтажа:	Through Hole
Конфигурация:	Single
Максимальная рабочая температура:	+175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:	20 V
Минимальная рабочая температура:	-55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:	20 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:	10 A
Подкатегория:	IGBTs
Производитель:	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:	1000
Серия:	STGF10H60DF
Технология:	Si
Тип продукта:	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер:	250 nA
Торговая марка:	STMicroelectronics
Упаковка / блок:	TO-220-3 FP
Упаковка:	Tube
Automotive	No
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Through Hole
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	600
Maximum Continuous Collector Current (A)	20
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)	0.25
Maximum Gate Emitter Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	30
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Packaging	Tube
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Standard Package Name	TO
Supplier Package	TO-220FP
Supplier Temperature Grade	Industrial
Tab	Tab
Technology	Field Stop\|Trench
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)	1.5