IGW50N60TFKSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 330 руб.

от 30 шт. — 910 руб.

от 120 шт. — 725 руб.

1 шт. на сумму 1 330 руб.

Плати частями
от 334 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8006552178

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.

Collector Emitter Saturation Voltage	2В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	50А
Power Dissipation	333Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Channel Type	N
Energy Rating	3.6mJ
Gate Capacitance	3140pF
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	90 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	333 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single