BSM120C12P2C201
![Фото 1/2 BSM120C12P2C201](https://static.chipdip.ru/lib/736/DOC043736543.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/810/DOC044810114.jpg)
13 шт., срок 6-8 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
92 880 руб.
72 020 руб.
1 шт.
на сумму 72 020 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Описание НПН-коп. 50В 0,1А 0,2Вт СОТ22 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Base Product Number | BSM120 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 134A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
ECCN | EAR99 |
FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
FET Type | 2 N-Channel |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 10V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Bulk |
Package / Case | Module |
Power - Max | 935W (Tc) |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | Module |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 22mA |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 134 A |
Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
Package Type | Tray |
Техническая документация
Datasheet BSM120C12P2C201
pdf, 1390 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.