DDTC114WCA-7-F

DDTC114WCA-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
66 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.46 руб.
от 100 шт.21 руб.
от 500 шт.16.46 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 198 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006623673
Бренд: DIODES INC.

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 250 МГц 200 мВт поверхностный монтаж SOT-23-3

Технические параметры

Base Product Number DDTC114 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 24 @ 10mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 250MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA) 100
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 200
Minimum DC Current Gain 24@10mA@5V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23
Type NPN
Typical Current Gain Bandwidth (MHz) 250
Typical Input Resistor (kOhm) 10
Typical Resistor Ratio 2.13

Техническая документация

Datasheet
pdf, 240 КБ
Datasheet
pdf, 234 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов