STGWT80V60F
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
205 шт., срок 6-8 недель
1 640 руб.
от 30 шт. —
1 120 руб.
от 120 шт. —
893 руб.
1 шт.
на сумму 1 640 руб.
Плати частями
от 410 руб. × 4 платежа
от 410 руб. × 4 платежа
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
Полевой упор для траншеи IGBT 600 В, 120 А, 469 Вт, сквозное отверстие TO-3P
Технические параметры
Base Product Number | STGWT80 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 120A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 240A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 448nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Power - Max | 469W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-3P |
Switching Energy | 1.8mJ (on), 1mJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 60ns/220ns |
Test Condition | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 80A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1642 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.