STGP8NC60KD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
854 шт., срок 6-8 недель
440 руб.
от 50 шт. —
310 руб.
от 100 шт. —
238 руб.
от 500 шт. —
188.54 руб.
1 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор БТИЗ, 600В 7A TO-220 Tube Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Base Part Number | STGP8 |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30A |
| Gate Charge | 19nC |
| IGBT Type | - |
| Input Type | Standard |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 65W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 23.5ns |
| Series | PowerMESHв(ў |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Switching Energy | 55ВµJ(on), 85ВµJ(off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 17ns/72ns |
| Test Condition | 390V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.75V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 15А |
| Power Dissipation | 65Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PowerMESH |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 15 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 7 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 65 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGP8NC60KD |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Forward Diode Voltage | 2.1V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 6.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
