R6050JNZ4C13
![Фото 1/2 R6050JNZ4C13](https://static.chipdip.ru/lib/652/DOC006652860.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/258/DOC047258095.jpg)
541 шт., срок 6-8 недель
3 340 руб.
от 30 шт. —
2 460 руб.
1 шт.
на сумму 3 340 руб.
Плати частями
от 835 руб. × 4 платежа
от 835 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор 600V N-CH 50A POWER МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
Pd - рассеивание мощности | 615 W |
Qg - заряд затвора | 120 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 83 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 35 ns |
Время спада | 50 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 120 ns |
Типичное время задержки при включении | 45 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247G-3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2261 КБ
Datasheet R6050JNZ4C13
pdf, 2214 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.