FF450R07ME4BOSA1
![FF450R07ME4BOSA1](https://static.chipdip.ru/lib/008/DOC006008974.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
31 810 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 31 810 руб.
Плати частями
от 7 954 руб. × 4 платежа
от 7 954 руб. × 4 платежа
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 450А |
DC Ток Коллектора | 450А |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Dual |
Линейка Продукции | EconoDUAL 3 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 479 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов