R6046FNZ1C9
![R6046FNZ1C9](https://static.chipdip.ru/lib/538/DOC007538889.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
278 шт., срок 6-8 недель
3 160 руб.
от 10 шт. —
2 540 руб.
от 100 шт. —
1 850 руб.
1 шт.
на сумму 3 160 руб.
Плати частями
от 790 руб. × 4 платежа
от 790 руб. × 4 платежа
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 600V 46A (Tc) 120W (Tc) сквозное отверстие TO-247
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 46A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6230pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 23A, 10V |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | * |
Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
Supplier Device Package | TO-247 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Техническая документация
Datasheet R6046FNZ1C9
pdf, 876 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.