IGW20N60H3FKSA1
![Фото 1/2 IGW20N60H3FKSA1](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/266/DOC047266107.jpg)
840 руб.
от 30 шт. —
580 руб.
от 120 шт. —
446 руб.
1 шт.
на сумму 840 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярный транзистор IGBT 600В 20А TO-247
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
Maximum Power Dissipation | 170 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | PG-TO247-3 |
Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1998 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов