IXGN320N60A3

Фото 1/2 IXGN320N60A3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 020 руб.
от 10 шт.7 150 руб.
1 шт. на сумму 8 020 руб.
Плати частями
от 2 005 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006735318
Бренд: Ixys Corporation

Описание

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

Технические параметры

Channel Type N
Configuration Single
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 320 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 735 W
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-227B
Pin Count 4
Switching Speed 5kHz
Transistor Configuration Common Emitter

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 159 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов