IXGN320N60A3
![Фото 1/2 IXGN320N60A3](https://static.chipdip.ru/lib/640/DOC021640978.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/105/DOC003105977.jpg)
8 020 руб.
от 10 шт. —
7 150 руб.
1 шт.
на сумму 8 020 руб.
Плати частями
от 2 005 руб. × 4 платежа
от 2 005 руб. × 4 платежа
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 320 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 735 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-227B |
Pin Count | 4 |
Switching Speed | 5kHz |
Transistor Configuration | Common Emitter |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов