IXGH48N60A3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 450 руб.
от 30 шт. —
1 000 руб.
от 120 шт. —
863 руб.
1 шт.
на сумму 1 450 руб.
Плати частями
от 364 руб. × 4 платежа
от 364 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V 1.05 V Rds
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 300 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 21.46 mm |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
Длина | 16.26 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | GenX3 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.18 V |
Непрерывный коллекторный ток | 120 A |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 120 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 300 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXGH48N60 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
Ширина | 5.3 mm |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов