IKB20N60H3ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
900 руб.
от 2 шт. —
780 руб.
от 5 шт. —
705 руб.
от 10 шт. —
661.25 руб.
1 шт.
на сумму 900 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 40(A) |
| Collector-Emitter Voltage | 600(V) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
| Package Type | D2PAK |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Rad Hardened | No |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.95В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 40А |
| Power Dissipation | 170Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HighSpeed 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Collector Current (Ic) | 40A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 112ns |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.69mJ |
| Type | FS(Field Stop) |
Техническая документация
Datasheet IKB20N60H3ATMA1
pdf, 1825 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
