IXYN140N120A4, IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 050 руб.
от 10 шт. —
11 580 руб.
от 100 шт. —
9 700 руб.
1 шт.
на сумму 14 050 руб.
Плати частями
от 3 514 руб. × 4 платежа
от 3 514 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Trench 650V to 1200V XPT™ GenX4™ IGBTsIXYS Trench 650V to 1200V XPT™ GenX4™ IGBTs are developed using a proprietary XPT thin-wafer technology and a state-of-the-art 4th generation (GenX4™) trench IGBT process. These insulated-gate bipolar transistors feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. The devices exhibit exceptional ruggedness during switching and under short-circuit conditions.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 380 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 380 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Screw Mounts |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 1.07 kW |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | Trench |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 631 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
