RQ5H020TNTL, MOSFETs RQ5H020TN is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for sw
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15769 шт., срок 5-7 недель
190 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 100 шт. —
106 руб.
от 500 шт. —
87.73 руб.
1 шт.
на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 45V N-CHANNEL 2A
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Qg - заряд затвора | 2.9 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 45 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 16 ns |
| Время спада | 11 ns |
| Другие названия товара № | RQ5H020TN |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | SOT-346-3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 45 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TSMT-3 |
| Pin Count | 3 |
| Series | RQ5H020TN |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.9 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.8mm |
| Вес, г | 0.031 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
