IGW30N65L5XKSA1, IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5

IGW30N65L5XKSA1, IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 100 руб.
от 10 шт.940 руб.
от 25 шт.704 руб.
от 100 шт.584.08 руб.
1 шт. на сумму 1 100 руб.
Плати частями
от 275 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007116234
Артикул: IGW30N65L5XKSA1

Описание

Unclassified
The Infineon fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low saturation voltage. High Efficiency

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 85 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V
Maximum Power Dissipation 227 W
Package Type PG-TO247-3
Pin Count 3
Вес, г 6.055

Техническая документация

Datasheet IGW30N65L5XKSA1
pdf, 1617 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов