IGW30N65L5XKSA1, IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
![IGW30N65L5XKSA1, IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5](https://static.chipdip.ru/lib/323/DOC028323065.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 100 руб.
от 10 шт. —
940 руб.
от 25 шт. —
704 руб.
от 100 шт. —
584.08 руб.
1 шт.
на сумму 1 100 руб.
Плати частями
от 275 руб. × 4 платежа
от 275 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The Infineon fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low saturation voltage. High Efficiency
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 85 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
Maximum Power Dissipation | 227 W |
Package Type | PG-TO247-3 |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 6.055 |
Техническая документация
Datasheet IGW30N65L5XKSA1
pdf, 1617 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов