STGP20NC60V, Биполярный транзистор IGBT 600В 60А 200Вт TO220
![Фото 1/3 STGP20NC60V, Биполярный транзистор IGBT 600В 60А 200Вт TO220](https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC043752494.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/751/DOC017751650.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516953.jpg)
103 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней
570 руб.
от 5 шт. —
480 руб.
от 10 шт. —
448 руб.
от 19 шт. —
431 руб.
1 шт.
на сумму 570 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT 600В 60А 200Вт TO220
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.5 V | |
Configuration: | Single | |
Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A | |
Continuous Collector Current Ic Max: | 60 A | |
Continuous Collector Current: | 30 A | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Gate-Emitter Leakage Current: | +/-100 nA | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Package/Case: | TO-220-3 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 200 W | |
Product Category: | IGBT Transistors | |
Product Type: | IGBT Transistors | |
Series: | STGP20NC60V | |
Subcategory: | IGBTs | |
Technology: | Si | |
Вес, г | 2.692 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 443 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.