IRF830APBF, полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 550 В, 4 А, TO-220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
700 шт. со склада г.Москва, срок 3 дня
40 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
38 руб.
от 200 шт. —
35 руб.
50 шт.
на сумму 2 000 руб.
Плати частями
от 500 руб. × 4 платежа
от 500 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
550V 4A 33W 2.2Ω@10V,2A 4V@250uA 1PCSNChannel TO-220 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Корпус | to-220 | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 550 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 4 | |
| Способ монтажа | Through Hole | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Упаковка | 50 | |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@3A, 10V | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 500V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 620pF@25V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Power Dissipation (Pd) | 74W | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 24nC@10V | |
| Type | 1PCSNChannel | |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Документация
pdf, 88 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
