IKW30N65ES5XKSA1, Транзистор IGBT, 650В, 39,5А, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 480 руб.

от 3 шт. — 1 300 руб.

от 10 шт. — 1 010 руб.

1 шт. на сумму 1 480 руб.

Плати частями
от 370 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8007206988

Артикул: IKW30N65ES5XKSA1

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.

Collector Emitter Saturation Voltage	1.35В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	62А
Power Dissipation	188Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TRENCHSTOP(TM)5
Максимальная Рабочая Температура	175 C
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Channel Type	N
Energy Rating	0.88mJ
Gate Capacitance	1800pF
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	62 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	188 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Transistors	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Switching Speed	30kHz
Transistor Configuration	Single
Вес, г	4.43