APT45GP120B2DQ2G, IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A TO-247 MAX
![APT45GP120B2DQ2G, IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A TO-247 MAX](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 540 руб.
1 шт.
на сумму 5 540 руб.
Плати частями
от 1 385 руб. × 4 платежа
от 1 385 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Case | T-Max |
Collector current | 54A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Gate charge | 185nC |
Gate-emitter voltage | ±30V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
Mounting | THT |
Power dissipation | 625W |
Pulsed collector current | 170A |
Technology | POWER MOS 7®, PT |
Turn-off time | 230ns |
Turn-on time | 47ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 6.83 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов