APT45GP120B2DQ2G, IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A TO-247 MAX

APT45GP120B2DQ2G, IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A TO-247 MAX
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 540 руб.
1 шт. на сумму 5 540 руб.
Плати частями
от 1 385 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007230244
Артикул: APT45GP120B2DQ2G

Описание

Unclassified

Технические параметры

Case T-Max
Collector current 54A
Collector-emitter voltage 1.2kV
Features of semiconductor devices integrated anti-parallel diode
Gate charge 185nC
Gate-emitter voltage ±30V
Kind of package tube
Manufacturer MICROCHIP(MICROSEMI)
Mounting THT
Power dissipation 625W
Pulsed collector current 170A
Technology POWER MOS 7®, PT
Turn-off time 230ns
Turn-on time 47ns
Type of transistor IGBT
Вес, г 6.83

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов