C3M0016120K, SiC MOSFETs SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 шт., срок 5-7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
23 330 руб.
от 10 шт. —
18 550 руб.
от 30 шт. —
17 700 руб.
от 60 шт. —
17 298.87 руб.
1 шт.
на сумму 23 330 руб.
Плати частями
от 5 834 руб. × 4 платежа
от 5 834 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Industry-leading 16mΩ RDS(on) 1200V VBR (minimum) across entire operating temperature range [-40˚C – 175˚C]
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.016Ом |
Power Dissipation | 556Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | C3M |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 115А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 556Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.016Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 115 A |
Maximum Drain Source Resistance | 16 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, 19 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.6V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 556 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247-4 |
Pin Count | 4 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 211 nC @ 4/15V |
Width | 5.21mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet C3M0016120K
pdf, 1055 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.