HGTP10N120BN, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 8 шт. —
180 руб.
от 16 шт. —
170 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Вес, г | 3.06 |
Техническая документация
Документация
pdf, 296 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
