ES3D, Rectifiers 3.0a Rectifier UF Recovery
![Фото 1/4 ES3D, Rectifiers 3.0a Rectifier UF Recovery](https://static.chipdip.ru/lib/786/DOC043786858.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/261/DOC005261649.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC004458476.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/037/DOC024037344.jpg)
160 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 100 шт. —
84 руб.
от 500 шт. —
63.66 руб.
1 шт.
на сумму 160 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers\Rectifiers
Описание Диод: выпрямительный, SMD, 200В, 3А, 30нс, SMC, Ufmax: 0,95В Характеристики Категория | Диод |
Тип | выпрямительный |
Технические параметры
Diode Configuration | Single |
Diode Technology | Silicon Junction |
Diode Type | Rectifier |
Maximum Continuous Forward Current | 3A |
Maximum Forward Voltage Drop | 950mV |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DO-214AB(SMC) |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 100A |
Peak Reverse Recovery Time | 20ns |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 200V |
Pin Count | 2 |
Rectifier Type | Switching |
Base Part Number | ES3D |
Capacitance @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10ВµA @ 200V |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Operating Temperature - Junction | -50В°C ~ 150В°C |
Package / Case | DO-214AB, SMC |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Reverse Recovery Time (trr) | 20ns |
Series | - |
Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA(Io) |
Supplier Device Package | SMC(DO-214AB) |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 210 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
ES3D
pdf, 301 КБ
Документация
pdf, 304 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды быстродействующие»
Типы корпусов импортных диодов