C2M0280120D, SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6196 шт., срок 5-7 недель
2 600 руб.
от 10 шт. —
2 250 руб.
от 30 шт. —
1 760 руб.
от 120 шт. —
1 542.24 руб.
1 шт.
на сумму 2 600 руб.
Плати частями
от 650 руб. × 4 платежа
от 650 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
1.2kV 10A 62.5W 370mΩ@6A,20V 2.8V@1.25mA null TO-247-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 10A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 370mΩ@6A, 20V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.8V@1.25mA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 259pF@1000V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 62.5W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20.4nC@20V |
Type | null |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.28Ом |
Power Dissipation | 62.5Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 10А |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Техническая документация
Wolfspeed C2M0280120D
pdf, 783 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.