Накопитель SSD Samsung PCIe 3.0 x4 1TB MZ-V8V1T0BW 980 M.2 2280

Фото 1/10 Накопитель SSD Samsung PCIe 3.0 x4 1TB MZ-V8V1T0BW 980 M.2 2280
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
69 шт. со склада г.Москва
12 250 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 250 руб.
Плати частями
от 3 064 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8007274136
Артикул: MZ-V8V1T0BW

Описание

Комплектующие для компьютеров\Накопители SSD\M.2
Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 1000
Объем после форматирования, GiB: 953
Тип памяти: 3D NAND TLC
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 3840
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3500
Максимальная скорость записи, МБ/с: 3000
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 500
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 480
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 600
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Ударостойкость при работе, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт: 5.3
Размеры:
Ширина, мм: 22
Высота, мм: 2.38
Глубина, мм: 80
Тип комплектации: RTL

Технические параметры

Объем накопителя, ГБ 1024
Форм-фактор M.2 2280
Максимальная скорость записи, Мб/с 3000
Максимальная скорость чтения, Мб/с 3500
Разъем M.2
Потребляемая мощность, Вт 5.3
Интерфейс PCIe 3.0 x4
Поддержка NVMe Да
Контроллер NAND Samsung Pablo Controller
Тип памяти NAND 3D TLC
Время наработки на отказ, ч 1500000
Толщина, мм 2.38
PartNumber/Артикул Производителя MZ-V8V1T0BW
Бренд SAMSUNG
Высота упаковки (ед), м 0.021
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ, м 0.145x0.099x0.021
Длина товара, мм 80.15
Длина упаковки (ед), м 0.145
Для ПК/ноутбука ДА
Категория Применения 1TB
Ключ M.2 разъема M
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 480000
Модель MZ-V8V1T0BW
Мощность в режиме ожидания, Вт 0.045
Объем накопителя ТБ, ТБ 1
Объем упаковки (ед), м3 0.000301
Поддержка TRIM ДА
Ресурс TBW, ТБ 600
Серия 980
Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 500000
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 480000
Тип жесткого диска SSD
Ударостойкость при работе 1500 G
Ударостойкость при хранении 1500 G
Ширина товара, мм 22.15
Ширина упаковки (ед), м 0.099
TBW твердотельного накопителя, Тбайт 600
Ёмкость накопителя, Гбайт 1000
Назначение Клиентские ПК
Скорость последовательной записи, Мбайт/c 3000
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS 500000
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS 480000
Средняя наработка на отказ, ч 1500000
Тип памяти MLC
Тип памяти V-NAND 3-bit MLC
MTBF 1500000 часов
Исполнение Внутреннее
Скорость записи/Скорость чтения Мб/с 3000/3500
Тип SSD
Цвет Черный
Версия PCI-E PCIe 3x4 w/NVMe
Вид устройства Внутренний твердотельный накопитель
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с 3840
Высота, мм 20
Глубина, мм 140
Номинальный объем, ГБ 1000
Объем после форматирования, GiB 953
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) Да
Позиционирование использования Desktop
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS 500
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS 480
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ 600
Тип интерфейса PCI Express
Тип комплектации RTL
Ударостойкость при работе, G 1500
Ударостойкость при хранении, G 1500
Ширина, мм 100
Энергопотребление при работе, Вт, max 5.3
Время наработки на отказ 1500000 ч
Код производителя MZ-V8V1T0BW
Контроллер Samsung Pablo Controller
Объём накопителя 1000 Гб
Производитель Samsung
Скорость записи 3000 МБ/сек
Скорость произвольного чтения 4 КБ блоков 500000 IOPS
Скорость произвольной записи 4 КБ блоков 480000 IOPS
Скорость чтения 3500 МБ/сек
Тип флэш-памяти TLC
Гарантийный срок 12 МЕС
Для геймеров Нет
Коммерческий Нет
Максимальная скорость записи 3000 MБ/с
Максимальная скорость случайного чтения, IOPS 500000
Максимальная скорость случайной записи, IOPS 480000
Максимальная скорость чтения 3500 MБ/с
Объем памяти 1 ТБ
Потребляемая мощность 4.6 ВТ
Размер, мм 80.15x22.15x2.38
Ресурс работы (TBW) 600 ТБ
Страна происхождения Южная Корея
NVMe да
Traceability N
Количество в упаковке 10
Наличие PCIE да
Объем, м3 0.0006
Размер 80.15x22.15x2.38 mm
Скорость записи, Мб/сек. 3000
Скорость чтения, Мб/сек. 3500
Толщина диска 2.38mm
Гарантия 12 мес.
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 500000
Объем накопителя 1024 ГБ
Потребляемая мощность в режиме ожидания 0.045 Вт
Ресурс TBW 600 ТБ
Толщина товара 2.38 мм
Background Garbage Collection Да
IOmeter, скорость записи 4Кб файлов, глубина очереди=32 480000 IOPS
manufacturerCountry ВЬЕТНАМ
pictureID 493063
Для веб-сервера или файлового сервера Нет
Для сервера баз данных Нет
Интерфейс SSD PCI-Express
Комплект поставки SSD
Максимальные перегрузки 1500G длительностью 0.5 мс
масса(кг) 0.1
Объем (Гб) 1000
описание SSD накопитель MZ-V8V1T0BW от компании Samsung.
ПО в комплекте Нет
Потребление энергии (Вт) 5.3
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ Накопитель под нагрузкой сильно нагревается.Необходимо продуманное охлаждение системного блока.
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ2 Для сервера данный накопитель не подходит из-за недостаточного ресурса
Пропускная способность интерфейса (Гбит/с) 8
Ресурс SSD 600 TBW
Скорость записи (Мб/с) 3000
Скорость чтения (Мб/с) 3500
Тип оборудования SSD диск
Вес, г 122

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.